První flash pamět 3D NAND UFS 2.1 s 96 vrstvami
Společnost Western DigitalCorporation (NASDAQ: WDC) uvádí první interníflash paměť (EFD) typu 3D NAND UFS 2.1 využívající 96 vrstev. ÚložištěWestern Digital iNAND® MC EU321 zvyšuje možnosti umělé inteligence (AI), rozšířené reality (AR), focení mobily s více objektivy ve vysokém rozlišení, videa 4K a dalších náročných aplikací u výkonných smartphonů a mobilních zařízení.Nová paměť Western Digital iNAND® MC EU321 EFD zajistí špičkový výkon u smartphonů, tabletů, notebookůa dalších zařízení a umožní bezproblémovou práci s těmito zařízeními i v případě, že paměť zařízení bude zaplněna téměř na maximum. To vše díky použité technologii Western Digital 3D NAND s 96 vrstvami, vylepšenému rozhraní UFS 2.1 a architektuře Western Digital iNANDSmartSLC 5.
„Mobilní zařízení se stávají centrem našeho každodenního propojeného digitálního života. Rozvíjející se rychlost připojení 5G, videa 4K, rozšířené reality a virtuální reality posílímožnostismartphonů, tabletů a notebooků. Roste očekávání uživatelů i technologické nároky na lepší práci s mobilními zařízeními,“ říká OdedSagee, senior director pro produktový marketing společnosti Western Digital, a dodává: „Naše technologie 3D NAND umožňuje uživatelům začít využívat vyšší kapacitu interní paměti a uspokojit tak nároky na větší objem dat. Navíc, zatímco v případě tradiční architektury paměti, kdy se výkon snižuje s tím, jak se zaplňuje paměť ke svému maximu, Western Digital iNAND MC EU321 EFD je navržena na míru tak, aby udržela stabilní výkon a umožnila uživatelům plynule pokračovat ve vytváření, uchovávání a přehrávání svých digitalizovaných zážitků.“
Očekává se, že v nejbližších letech poroste objem, rychlost a různorodost mobilních dat raketovou rychlostí s tím, jak se bude posilovatvýznam mobilních zařízení zejména v následujících oblastech:
•Fotografování a pořizování videa mobilními telefony s více objektivy a ve vysokém rozlišení nebo fotografování za využití umělé inteligence nabídne uživatelům nové možnosti pro vytváření a sdílení digitálního obsahu.
•Sítě 5G umožní velmi rychlé stahování a poskytnou vysoké rychlosti přenosu dat. Změní se způsob, jakým uživatelé budou pracovat se svými mobilními zařízeními a digitálním obsahem.
•Umělá inteligence s využitím 5G u mobilních zařízení nabídne možnost zachytit a zpracovat data v reálném čase a v reálném čase je také vyhodnotit.
Podle společnosti CounterpointResearch kapacita průměrné NAND flash paměti vzroste mezi roky 2017 až 2021 o 28%. Obměna mobilních zařízení za ty s větším displejem, výkonem a propojením pro zábavu ale i pro prácikdekoli na cestách si vyžádá nárůst průměrné kapacity interní paměti zařízení.Všechny nové, datově náročné aplikace budou vyžadovat vyšší kapacitu paměti pro zajištění bezproblémové práce s mobilními zařízeními kdekoli na cestách tak, jak to uživateléočekávají. V první polovině roku 2018 měly smartphony dodávané na trh o 40 % více interní paměti ve srovnání s polovinou roku 2017. To odpovídá 51 GB na telefon a zvyšuje požadavky na vyšší kapacity a chytřejší ukládací technologie.
Paměť iNAND MC EU321 je nejnovějším přírůstkem do produktové řady iNAND, které důvěřuje většina hlavních výrobců smartphonů a tabletů po celém světě již více jak deset let. Paměť iNAND MC EU321 EFD dosahuje rychlosti sekvenčního zápisu až 550 MB/s a umožňuje uživatelům výjimečně pohodlnou práci. Aktuálně Western Digital dodává svým OEM partnerům tato úložiště do kapacity až 256 GB.
Warning: Use of undefined constant rand - assumed 'rand' (this will throw an Error in a future version of PHP) in /disk_1/www/cz/mpx/www/wp-content/themes/ribbon/single.php on line 35