Nová paměť Western Digital UFS 3.0 EFD posiluje možnosti sítě 5G

Nový standard 5G slibuje ultra rychlé přenosové rychlosti, nízkou latenci, nízkou spotřebu energie a kapacity vysokorychlostní sítě pro všechny mobily a další mobilní zařízení. Nové možnosti si vyžádají vysoce rychlostní rozhraní, jako je USF 3.0 nejen u mobilních telefonů, ale u bezpočtu dalších zařízení v prostředí IoT.

„Chytré telefony sestávají centrem digitálního propojení,“ říká OdedSagee, ředitel společnosti Western Digital pro paměťová zařízení, a dodává: „Vysoké rychlosti sítě 5G jsou nastaveny tak, aby dodávaly data až stokrát rychleji, než předchozí generace. To, mimo jiné, umožní nárůst aplikací AI na mnoha mobilníchzařízeních. Uměláinteligence (AI) podporovaná integrovanými jednotkami NPU (NeuralProcessing Unit) umožní přístup k analýze dat a změní způsoby, jak využívat chytré telefony. Zpracování dat v reálném čase bude nutností a vyžádá si vysoké standardy při zachycení a ukládání dat a při přístupu k nim. Díky naší nové vestavěné paměti UFS 3.0 umožníme uživatelům maximalizovat přínos sítě 5G kdykoli, bez problémů, plynule a nepřetržitě.“

Zařízení spolupracující se sítí 5G a s rozhraním UFS 3.0 poskytnou vyšší výkon a nižší latenci pro aplikace, jako je rozšířená nebo virtuální realita (AR/VR) nebo pro mobilní hry. Navíc tyto vysoké přenosové rychlosti umožní uživatelům na svých mobilních zařízeních rychle stahovat a prohlížet si nebo přehrávat vysoce kapacitní multimediální formáty ve vysokém rozlišení a v rozlišení 4K/8K.

Paměť iNAND MC EU511 atakuje čelní pozice v odvětví svým rychlým sekvenčním zápisem, který dosahuje až 750 MB/s a sekvenčním čtením, které je ve srovnání s předchozími modely téměř dvojnásobné. Nová paměť iNAND MC EU511 se dodává OEM partnerům v kapacitách 64 až 512 GB a je připravena posílit možnosti revoluční sítě 5G.

Společnost Western Digital Corp.(NASDAQ: WDC) umožnív nastupujícím období 5G lepší práci s mobilními telefony. Western Digital představuje novou integrovanou paměť typu EFD, která poskytuje rychlosti a kapacity, které budou potřeba pro maximalizaci možností špičkových chytrých telefonů a mobilních zařízení v éře 5G. Nová paměť využívá vlastní vylepšenou firemní technologii 3D NAND s 96 vrstvami. Paměť iNAND^® MC EU511podporuje specifikace rozhraní Universal FlashStorage (UFS) 3.0 Gear 4/2. Díky vylepšené technologii iNANDSmartSLC Gen.6dosahuje paměť sekvenčních rychlostí zápisu až 750MB/s*, což umožní například uložit dvouhodinové video pouze za 3,6 sekund¹.